绝缘栅型贴片场效应管

  　　绝缘栅型贴片场效应管是在一块低掺杂的P型硅片上，通过扩散工艺形成两个相距很近的高掺杂N区，分别作为源极S和漏极D。另外，在两N区之间的二氧化硅(Si02)绝缘层上蒸发一个金属电极作为栅极G。通常简称MOS场效应管。